
对高性能MOSFET的需求持续加速,因为汽车、工业和数据系统需要更低功耗、更高功率密度、紧凑的设计和不容妥协的可靠性。安森美的MOSFET产品组合通过行业领先的裸芯技术、封装工艺以及30V-150V的宽电压覆盖,直面这些挑战。采用PowerTrench™技术和先进封装,包括顶部散热封装(TCPAK)、源极向下(Source-Down)和双面散热(Dual-Cool)架构,安森美MOSFET可提供一流的RDS(on)、更低的开关损耗和卓越的热阻。安森美MOSFET为加速设计周期和优化成本提供了解决方案,,从而实现卓越的系统效果。
PowerTrench T10 MOSFET满足了市场对于降低功耗、提高功率密度以及对具有高可靠性的紧凑型外形日益增长的需求。
T10 MOSFET采用的屏蔽栅极功率Trench MOSFET技术,通过降低RDS(on)和栅极电荷(Qg),显著提高了效率、降低了输出电容,并提升了性能指标。改进后的性能指标(FOM)(RDS(on) × Qoss / Qg / Qgd)提升了整体性能和效率。业界领先的软恢复体二极管(Qrr, Trr)可最大限度地减少振铃、过冲和噪声。T10技术还减薄了晶圆厚度,将40V MOSFET中衬底对RDS(on)的贡献从约50%降低至22%。
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40-80V MOSFETs in 3 x 3 mm high density u8-FL package.
40-80V MOSFETs in 5 x 6 mm advanced SO-8FL package.
80V MOSFETs in 10 x 12 mm top-cool top-cool TCPAK package
30-60V MOSFETs in 2 x 2 mm high density WDFNW6 package.
40-60V MOSFETs in 5 x 7 mm advanced TCPAK package (Top Cool technology).
40-150V MOSFETs in 8 x 8 mm high density DFNW8 package.
25-40V MOSFETs in 3 x 3 mm high density WDFN9 package.
40V MOSFETs in 3 x 3 mm high density WDFN9 package.
40-80V MOSFETs in 3 x 3 mm high density u8FL package.
40-80V MOSFETs in 5 x 6 mm high density DFN8 package.
25-80V MOSFETs in 5 x 6 mm high density SO-8FL package.
80V MOSFETs in 5 x 6 mm high density TOLL package.
Application Note
Top-Side Cool Package (TCPAK1012) Development and Applications
Application Note
Shielded Gate POWERTRENCH® MOSFET Datasheet Explanation
Application Note
Top Cool Package for Power Discrete MOSFETs
Application Note
MOSFET Selection for Reverse Polarity Protection
Application Note
Understanding Power MOSFET Avalanche Operation and Associated UIS (UIL) Data Sheet
Application Note
MOSFET Basics
Application Note
Board Level Application Notes for DFN and QFN Packages
Collateral Brochure
48 V Powernet Trends
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48V-12V DC-DC Converter
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48V Starter Generator
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Battery-powered Tools
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Smart and Mobile Robotics
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Offline SMPS
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关于安森美MOSFET的常见问题。
MOSFET是一种用于高效切换和控制电力的器件。它通过栅极上的电压来调节电流流动。MOSFET广泛应用于电源、汽车系统、电机驱动、可再生能源和数据中心应用,因为它们实现了快速切换、高效和紧凑的系统设计。
安森美提供全面的MOSFET技术产品组合,以满足不同的功率和效率需求。这些包括低压MOSFET、超级结(SJ)MOSFET,以及先进的沟槽式和PowerTrench® MOSFET,这些MOSFET提供低电阻和更优的开关性能。这一产品组合还包括屏蔽栅极和车规级MOSFET,适用于高可靠性应用。
选择合适的MOSFET时,应考虑电压额定、电流需求、开关频率和热性能等关键因素。最匹配的器件能够在满足电力转换、汽车系统或工业设备等应用需求的同时,平衡效率、体积和成本。
MOSFET减少开关和导电损耗,提升整体能源效率。其快速开关速度和低电阻有助于减少热量产生,实现更紧凑、高性能的电子系统。
安森美通过严格的设计、测试和鉴定流程确保MOSFET的可靠性,包括AEC-Q101资格认证、广泛的电气和热应力测试,以及先进的封装以提升散热性能。我们还采用流程控制和可靠性建模,确保在汽车、工业和能源系统等高要求应用中保持稳定的性能。
安森美MOSFET广泛应用于汽车、工业、能源基础设施、计算和消费应用。主要应用场景包括电动汽车动力总成、电池管理系统、太阳能逆变器、数据中心电源和电机控制系统。
是的,安森美众多的MOSFET器件通过了AEC-Q101认证,确保符合严格的汽车可靠性标准。这些设备被用于安全关键系统,如电动传动系统、车载充电器和先进驾驶辅助系统(ADAS)。
安森美MOSFET提供多种表面贴装和穿孔封装,包括先进散热性的TCPAK和Power QFN。这些封装增强散热,减少寄生,并支持更高的功率密度设计。
MOSFET在较低电压下具有更快的开关速度和更高的效率,非常适合高频应用。IGBT更适合高电压和高电流应用,但通常切换较慢。选择取决于系统需求。
您可以在安森美官网上访问数据手册、仿真模型、参考设计和应用说明。这些资源帮助工程师评估MOSFET性能并加速系统设计。