先进的电源模块, 包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块 (IPM)。

产品分类

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碳化硅模块

碳化硅功率模块集成了MOSFET、二极管和精选的传感功能。多种拓扑结构简化了高效大功率转换设计。

IGBT模块

IGBT模块被运用于主驱和DC-AC级太阳能逆变器、能源储存系统、不间断电源和电机驱动等应用中。

MOSFET模块

MOSFET模块用于汽车电机驱动和车载充电机应用,额定电压可选40 V、60 V、80 V和650 V,采用超级结技术和感应电阻。除了6-pack、全桥和半桥拓扑结构外,还提供图腾柱PFC拓扑结构。

Si/SiC混合模块

Si/SiC混合模块包含IGBT、硅二极管和SiC二极管,适用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源的DC-AC级。

硅/碳化硅(Si/SiC)混合模块是具有高功率密度的IGBT集成功率模块。它们的开关损耗比非混合模块更低,工作温度也高于其他类型的半导体。

硅/碳化硅混合模块可用于要求低损耗的大功率应用。与同类硅模块相比,它们更适用于更高的温度环境。对于需要高频开关的系统,硅/碳化硅混合模块的效率更高。

智能电源模块(IPM)

高压电源模块,配备集成栅极驱动器,用于消费、工业和汽车应用。提供大范围的三相逆变器模块,涵盖50W至10KW的功率水平。提供不同拓扑结构选择,包括PFC和输入桥整流器。