氮化镓（GaN）FET

GaNEXUS^TM 氮化镓（GaN）场效应管（FET）属于增强型分立式GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），利用其宽禁带材料的特性，与硅功率晶体管相比，具有开关速度快、栅极和输出电荷低以及效率更高的优势。这些特性使得在低/中压、高压和超高电压电源转换应用中，能够实现更高的工作频率、减少磁性元件的使用并提高功率密度。