Overview
安森美碳化硅（SiC）Combo-FET的推出是一次革新性的进步，将我们低RDS(on)的SiC JFET与Si MOSFET结合应用在一个紧凑的封装中。专为低频保护应用而设计，如电源单元（PSU）、AI数据中心机架的下游高压DC-DC转换器、固态断路器（SSCB）、电动汽车电池断开和浪涌保护等，SiC Combo-FET的使用能够帮助用户调节JFET栅极，以优化设计。而Si MOSFET的集成常开启（normally）的方案成立，与分立实现相比，所需尺寸减少超过 25%。SiC Combo JFET是一次革命性的进步，它将我们的低RDS(on) SiC JFET与Si MOSFET集成在单一紧凑的封装中。该器件专为低频保护应用设计，例如电源单元（PSU）的热插拔、AI数据中心机架的下游高压DC-DC转换器、固态断路器（SSCB）、电动汽车电池断路器以及高压电子保险丝。
这些Combo JFET允许用户访问JFET栅极，从而在dV/dt控制、线性模式工作及过驱动能力方面实现优化设计。硅MOSFET的集成确保了常关型解决方案，与分立器件方案相比，尺寸缩减超过30%。
Browse 碳化硅（SiC）Combo JFET
750V Combo JFET
1200V Combo JFET
Featured Product
UG4SC075005L8S - EliteSiC Combo JFET
这款5.0 mΩ Combo JFET将750V SiC JFET和低压Si MOSFET集成于单个TOLL封装中。这种创新设计使用户能够构建实现常闭开关功能的电路，同时充分利用常通型SiC JFET的优势。
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UG4SC075006K4S - EliteSiC Combo JFET
这款5.3 mΩ Combo JFET将750V SiC JFET和低压Si MOSFET集成于单个TO-247-4L封装中。这种创新设计使用户能够构建实现常闭开关功能的电路，同时充分利用常通型SiC JFET的优势。
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UG4SC075009K4S - EliteSiC Combo JFET
这款8.4 mΩ Combo JFET将750V SiC JFET和低压Si MOSFET集成于单个TO-247-4L封装中。这种创新设计使用户能够构建实现常闭开关功能的电路，同时充分利用常通型SiC JFET的优势。
Product Page Application Examples
固态电路断路器（SSCB）
SSCB比传统的机械断路器更胜一筹，因为它们响应更快、更可靠且可配置。安森美的Combo JFET是首选的SSCB技术，它采用常关型器件在微秒级内切断电流，从而最大限度地减少损坏并降低失火风险。数据中心的热插拔操作
在数据中心热插拔操作过程中，当系统的直流母线已通电时，会将电源插入带电机架中。新插入的电源其电容器可能处于放电状态或部分充电状态。连接后，这些电容器在快速充电至母线电压的过程中会产生较大的浪涌电流。1200V Combo JFET已被证明是800VDC母线热插拔保护的可靠解决方案。
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