Phototransistors | 4N29M

6 引脚 DIP 通用光电达林顿光耦合器

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4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

  • AC-DC商用电源
  • 消费型设备
  • 工业级电机
  • 对于低输入驱动电流高度敏感
  • 满足或超过所有 JEDEC 寄存规格
  • 安全和法规认证：
  • UL1577，4170 VACRMS（1 分钟）
  • DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作绝缘电压

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